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参数目录38906
> SI5480DU-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
型号:
SI5480DU-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI5480DU-T1-E3 PDF
产品目录绘图
SI548xDU-T1-E3 Series
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
16 毫欧 @ 7.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1230pF @ 15V
功率 - 最大
31W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? CHIPFET? 单
供应商设备封装
PowerPAK? ChipFET 单通道
包装
剪切带 (CT)
其它名称
SI5480DU-T1-E3CT
查看SI5480DU-T1-E3代理商
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